Magnachip Semiconductor Corporation ("Magnachip") heeft aangekondigd dat het bedrijf een nieuwe 650V geïsoleerde-gate bipolaire transistor (IGBT) voor zonne-omvormers heeft onthuld. Nu de gevolgen van de klimaatverandering voor het milieu steeds ernstiger worden, blijft het gebruik van hernieuwbare energie zoals zonne-energie wereldwijd toenemen om de koolstofuitstoot te verminderen. Omdia, een wereldwijd marktonderzoeksbureau, schat dat de wereldmarkt voor IGBT's in de sector hernieuwbare energie van 2022 tot 2025 jaarlijks met 15% zal groeien.

In maart 2022 heeft Magnachip een nieuwe 650V IGBT ontwikkeld, gebouwd met geavanceerde "field stop trench technology" voor een snelle schakelsnelheid en hoge doorslagspanningen, en het bedrijf begint deze maand met de massaproductie ervan. De stroomdichtheid van deze nieuwe 650V IGBT is met 30% verbeterd ten opzichte van de vorige generatie door gebruik te maken van de nieuwste technologie. Deze IGBT is ook ontworpen om een minimale kortsluitvastheid van 5µs te bieden en hij is geoptimaliseerd voor parallelschakeling vanwege zijn positieve temperatuurcoëfficiënt.

Door het parallel schakelen van deze IGBT zal de belastingsstroom toenemen en dus ook het maximale uitgangsvermogen. Bovendien is de 650V IGBT voorzien van anti-parallelle diodes voor snel schakelen en laag schakelverlies, terwijl een maximale bedrijfstemperatuur van de junctie van 175°C gegarandeerd is. Deze nieuwe IGBT, die gebaseerd is op de normen van de Joint Electron Device Engineering Council (JEDEC), kan op grote schaal gebruikt worden voor toepassingen die een strikt vermogensniveau en een hoog rendement vereisen, zoals boost-inverters en converters voor zonne-energie, onderbrekingsvrije voedingen en universele vermogensomvormers.