Raytheon, een onderdeel van RTX, heeft een vierjarig contract van $15 miljoen van DARPA gekregen om de elektronische mogelijkheden van radiofrequentiesensoren te vergroten met Gallium Nitride transistors met een hoge vermogensdichtheid. De verbeterde transistors zullen 16 keer meer uitgangsvermogen hebben dan traditionele Gallium Nitride zonder verhoging van de bedrijfstemperatuur. Dit nieuwe prototypewerk wordt uitgevoerd in het kader van DARPA's Technologies for Heat Removal in Electronics at the Device Scale-programma, bekend als THREADS.