Archer Materials Limited kondigde aandeelhouders aan dat de onderneming de ontwikkeling van haar biochiptechnologie heeft bevorderd door de gevoeligheid van ingebouwde grafeenveldeffecttransistoren elektronisch te regelen. De onderneming heeft de fundamentele uitdaging aangepakt om de elektronische ladingsafscherming te verstoren die biosensorsignalen in gFET's dempt. De ontwikkeling maakt de weg vrij voor de specifieke binding van biomoleculen om bij te dragen aan bruikbare gFET-sensoren, en is een belangrijke technologische mijlpaal op weg naar de functie en werking van Archer's biochip. De screeningslaag is minder dan 1 nanometer (nm) in biologisch relevante vloeistoffen, en over het algemeen is elektronische detectie voorbij deze afstand onmogelijk. Om detectie in de biochip van Archer mogelijk te maken, mag de lading van de analyt niet worden gescreend, aangezien de meeste biologische analyten ongeveer 2-30 nm groot zijn, d.w.z. het grootste deel van hun lading valt buiten het gevoeligheidsbereik van de gFET in vloeistoffen. Het overwinnen van deze technologische uitdaging is een belangrijke stap op weg naar een functioneel en operationeel biosensorapparaat als onderdeel van Archers biochiptechnologie, aangezien dit essentieel is voor de
selectieve detectie van doelmoleculen. Archer heeft nu een sensorontwerpstrategie toegepast die het gebruik van een reeks dynamische elektrische velden omvat om de gFET-sensor te ontdoen van signaalinterferentie veroorzaakt door de schermlaag en praktische werkingsgevoeligheden van het apparaat te introduceren. Archer ontwikkelde de software en nam de hardware op in het biochipsysteemplatform waarmee het bedrijf elektronische modulatie en afstemming van de gFET-gevoeligheid kan bereiken. Metingen werden uitgevoerd door Archer personeel in het lage frequentiebereik, die relevant zijn voor het doordringen van biologische vloeistoffen. De resultaten toonden een 3x hogere gevoeligheid van de gFET voor doelanalyses in vergelijking met het statische geval zonder oscillerende spanning. In de context van het overwinnen van ladingsafscherming in gFET-apparaten is de 3x hogere gevoeligheid aanzienlijk.