Samsung Electronics Co., Ltd. kondigde de ontwikkeling aan van zijn 16-gigabit (Gb) DDR5 DRAM dat is gebouwd met behulp van de eerste 12-nanometer (nm)-technologie in de industrie, alsmede de voltooiing van de productevaluatie voor compatibiliteit met AMD. Deze technologische sprong werd mogelijk gemaakt door het gebruik van een nieuw hoog-kwalitatief materiaal dat de celcapaciteit verhoogt, en een eigen ontwerptechnologie die kritieke circuitkenmerken verbetert.

In combinatie met geavanceerde, meerlagige extreem ultraviolet (EUV) lithografie, beschikt het nieuwe DRAM over de hoge densiteit, waardoor de waferproductiviteit met 20% toeneemt. Het 12 nm DRAM van Samsung maakt gebruik van de nieuwste DDR5-standaard en zal snelheden tot 7,2 gigabit per seconde (Gbps) mogelijk maken. Dit betekent dat twee UHD-films van 30 gigabyte (GB) in slechts één seconde kunnen worden verwerkt.

De uitzonderlijke snelheid van het nieuwe DRAM gaat gepaard met een grotere energie-efficiëntie. De 12 nm-klasse DRAM verbruikt tot 23% minder stroom dan de vorige DRAM en is daarmee een ideale oplossing voor wereldwijde IT-bedrijven die milieuvriendelijker willen werken. Met de start van de massaproductie in 2023 is Samsung van plan zijn DRAM-productlijn op basis van deze geavanceerde 12 nm-procestechnologie uit te breiden naar een groot aantal marktsegmenten, aangezien het bedrijf blijft samenwerken met industriële partners om de snelle uitbreiding van de volgende generatie computers te ondersteunen.