Weebit Nano Limited heeft demonstratiechips uitgebracht met zijn ingebouwde Resistive Random-Access Memory (ReRAM)-module in een geavanceerde 22nm FD-SOI (fully depleted silicon on insulator)-procestechnologie. Dit is de eerste tape-out van Weebit ReRAM in 22nm, een van de meest gebruikte procesniveaus in de industrie, en een geometrie waarin ingebedde flash niet levensvatbaar is. Weebit werkte samen met zijn ontwikkelingspartners CEA-Leti en CEA-List om zijn ReRAM-technologie met succes op te schalen naar 22nm.

De teams ontwierpen een volledige IP-geheugenmodule die een multi-megabit ReRAM-blok integreert, gericht op het 22nm FD-SOI-proces dat is ontworpen om uitstekende prestaties te leveren voor verbonden en ultra-lage stroomtoepassingen zoals IoT en edge AI. Aangezien ingebedde flash niet onder 28 nm kan worden geschaald, is nieuwe technologie voor niet-vluchtig geheugen (NVM) nodig voor kleinere procesgeometrieën. Weebit ReRAM in 22nm FD-SOI biedt een energiezuinige, kosteneffectieve embedded NVM-oplossing die bestand is tegen zware omgevingsomstandigheden.

De embedded ReRAM-module van Weebit omvat een 8Mb ReRAM-array, besturingslogica, decoders, IO's (Input/Output communicatie-elementen) en foutcorrigerende code (ECC). Het is ontworpen met unieke analoge en digitale schakelingen waarvoor patent is aangevraagd en waarop slimme algoritmen zijn toegepast die de technische parameters van de geheugenreeks aanzienlijk verbeteren. Naast andere voordelen blinkt de ReRAM-technologie van Weebit uit in zware omgevingsomstandigheden zoals hoge temperaturen, straling en elektromagnetische velden, waardoor deze ideaal is voor toepassingen zoals IoT, medisch, automotive en industrieel.

De demo-chips omvatten een volledig subsysteem voor ingebedde toepassingen, waaronder de Weebit ReRAM-module, een RISC-V microcontroller (MCU), systeeminterfaces, geheugens en randapparatuur.