Lam Research Corporation heeft aangekondigd dat SK hynix Inc. Lam's innovatieve dry resist fabricagetechnologie heeft geselecteerd als recordontwikkelingsinstrument voor twee belangrijke processtappen bij de productie van geavanceerde DRAM-chips. Droge resist is een baanbrekende technologie die Lam in 2020 heeft geïntroduceerd en die de resolutie, productiviteit en opbrengst verhoogt van Extreme Ultraviolet (EUV) lithografie, een cruciale technologie die wordt gebruikt bij de productie van halfgeleiders van de volgende generatie. Dankzij het werk van Lam met SK hynix en de voortdurende samenwerking met ecosysteempartners op het gebied van dry resist-technologie, blijft het bedrijf een leidende rol spelen bij het stimuleren van innovaties op het gebied van patronen om de hindernissen weg te nemen die gepaard gaan met het opschalen naar toekomstige geheugenknooppunten met EUV-lithografie.

De dry resist-technologie, die voor het eerst ontwikkeld is door Lam in samenwerking met ASML en IMEC, biedt verschillende voordelen ten opzichte van conventionele chemisch versterkte resist-patronen voor EUV-lithografie. Oplossingen met droge-resistentechnologie verbeteren de EUV-gevoeligheid en de resolutie van elke wafer-pass aanzienlijk, waardoor patronen beter aan de wafer hechten en de prestaties en de opbrengst verbeteren. Bovendien biedt Lam's aanpak van de ontwikkeling van droge resistentie belangrijke duurzaamheidsvoordelen door minder energie en vijf tot tien keer minder grondstoffen te verbruiken dan traditionele chemische natte resistentieprocessen.