ROHM Semiconductor kondigde massaproductie aan van 650V GaN (Gallium Nitride) HEMTs GNP1070TC-Z en GNP1150TCA-Z, geoptimaliseerd voor een breed scala aan toepassingen voor voedingssystemen. Deze nieuwe producten zijn gezamenlijk ontwikkeld met Ancora Semiconductors Inc., een dochteronderneming van Delta Electronics Inc. die GaN-apparaten ontwikkelt. Het verbeteren van de efficiëntie van voedingen en motoren, die verantwoordelijk zijn voor het grootste deel van het wereldwijde elektriciteitsverbruik, is een belangrijke hindernis geworden voor het bereiken van een koolstofvrije maatschappij.

Het gebruik van nieuwe materialen zoals GaN en SiC is essentieel om de efficiëntie van voedingen te verbeteren. Na de start van de massaproductie van 150V GaN HEMT's met een gate breakdown voltage van 8V in 2022, ontwikkelde ROHM in maart 2023 control IC-technologie voor het maximaliseren van GaN-prestaties. Nu heeft ROHM 650V GaN HEMT's geïntroduceerd met marktleidende prestaties die bijdragen aan een hoger rendement en kleinere afmetingen in een breder scala van voedingssystemen. De GNP1070TC-Z en GNP1150TCA-Z leveren toonaangevende prestaties op het gebied van RDS(ON) × Ciss /RDS(ON) × Coss, een prestatiecijfer voor GaN HEMT's, wat leidt tot een hoger rendement in voedingssystemen. Tegelijkertijd verbetert een ingebouwd ESD-beschermingselement de weerstand tegen elektrostatische doorslag tot 3,5kV, wat leidt tot een hogere betrouwbaarheid van de toepassing.

De snelle schakeleigenschappen van GaN HEMT's dragen ook bij aan een grotere miniaturisatie van randapparatuur. ROHM blijft de prestaties van apparaten verbeteren door middel van zijn EcoGaNo-lijn van GaN-apparaten die bijdraagt aan grotere energiebesparing en miniaturisatie. Terwijl ROHM producten ontwikkelt, zal het bedrijf ook gezamenlijke ontwikkeling bevorderen via strategische partnerschappen om bij te dragen aan het oplossen van maatschappelijke problemen door toepassingen efficiënter en compacter te maken.

EcoGaN verwijst naar ROHM's nieuwe serie GaN-apparaten. Ze dragen bij aan energiebesparing en miniaturisatie door GaN eigenschappen u te maximaliseren om een lager energieverbruik van de toepassing, kleinere perifere componenten, en eenvoudiger ontwerpen die minder onderdelen vereisen te bereiken.