Transphorm, Inc. heeft de beschikbaarheid aangekondigd van twee nieuwe referentieontwerpen voor het opladen van elektrische voertuigen (EV). De 300 W en 600 W Constant Current/Constant Voltage (CC/CV) acculaders maken gebruik van 70 en 150 milliohm SuperGaN® apparaten van het bedrijf om zeer efficiënte AC-naar-DC stroomconversie te leveren met een hoge vermogensdichtheid tegen concurrerende kosten. De referentieontwerpen zijn bedoeld voor de productie in grote volumes van laders voor 2- en 3-wiel EV's, waarvan er jaarlijks meer dan 14 miljoen en meer dan 45 miljoen worden verkocht in respectievelijk India en China.

De referentieontwerpen kunnen ook gebruikt worden voor een verscheidenheid aan toepassingen, waaronder snelladen, LED-dimbare drivers, spelconsoles en laptops met hoge prestaties. Open frame CC/CV AC-to-DC batterijladers: De 300 W en 600 W referentieontwerpen combineren de SuperGaN FET's en regelaars in de populaire power factor correction (PFC) en resonante LLC topologieën, waarbij de LLC specifiek ontworpen is voor een breed batterijbereik (van leeg tot volledig opgeladen). Het SuperGaN-platform van Transphorm stelt ontwikkelaars van voedingssystemen in staat om het prestatiepotentieel van de PFC+LLC te maximaliseren, door de hoogst mogelijke efficiëntie van deze topologieën te leveren tegen concurrerende kosten.

De referentieontwerpen maken gebruik van puur analoge controllers in plaats van digitale controllers die firmware vereisen. Deze configuratie biedt verschillende voordelen, zoals eenvoudigere ontwerpmogelijkheden en vereenvoudigde productontwikkeling door: Minder benodigde ontwikkelingsbronnen; Kortere ontwikkelingstijd; Eliminatie van de noodzaak voor potentieel complexe firmwareprogrammering/onderhoud. Opmerking: Het 300 W referentieontwerp bevat een extra PWM-ingangspoort voor het aanvragen van uitgangsstroomniveaus die lager zijn dan de nominale uitgangswaarde, waardoor meer flexibiliteit mogelijk is voor alle batterijchemistries.

De referentieontwerpen maken gebruik van Transphorm's SuperGaN FET's, die bekend staan om hun onderscheidende voordelen zoals: Toonaangevende robuustheid met een gate-drempel van +/- 20 V en een ongevoeligheid voor ruis van 4 V; Eenvoudigere ontwerpmogelijkheden door het verminderen van de benodigde hoeveelheid schakelingen rond het apparaat; Eenvoudigere bestuurbaarheid omdat FET's gekoppeld kunnen worden met bekende, kant-en-klare drivers die gebruikelijk zijn voor siliciumapparaten.