STMicroelectronics en Sanan Optoelectronics hebben aangekondigd dat ze een overeenkomst hebben getekend voor de oprichting van een nieuwe JV voor de productie van 200mm siliciumcarbide-apparaten in Chongqing, China. Het is de bedoeling dat de nieuwe SiC-fabriek in het vierde kwartaal van 2025 met de productie begint en in 2028 volledig operationeel is, ter ondersteuning van de stijgende vraag in China naar de elektrificatie van auto's en industriële energie- en energietoepassingen. Tegelijkertijd zal Sanan Optoelectronics apart een nieuwe productiefaciliteit voor 200mm SiC-substraten bouwen en exploiteren om aan de behoeften van de JV te voldoen, met gebruik van het eigen SiC-substraatproces.

De JV zal exclusief voor STMicroelectronics SiC-apparaten maken, met behulp van de eigen SiC-productieprocestechnologie van ST, en als een specifieke gieterij voor ST dienen om aan de vraag van haar Chinese klanten te voldoen. Het totale bedrag voor de volledige opbouw van de JV zal naar verwachting ongeveer $3,2 miljard bedragen, inclusief kapitaaluitgaven van ongeveer $2,4 miljard in de komende 5 jaar, die gefinancierd zullen worden door bijdragen van STMicroelectronics en SananOptoelectronics, steun van de lokale overheid en leningen aan de JV. De voltooiing van het project is afhankelijk van regelgevende goedkeuringen.