Richardson Electronics, Ltd. kondigde de beschikbaarheid aan van SemiQ's tweede generatie siliciumcarbide vermogensschakelaars, 1200V 80mO SiC MOSFET's. Deze MOSFET's vormen een aanvulling op SemiQ's bestaande SiC-gelijkrichters op 650V, 1200V en 1700V. SemiQ heeft twee nieuwe MOSFET's ontworpen, GP2T080A120U (TO-247-3L) en GP2T080A120H (TO-247-4L), om de beste verhouding tussen geleidings- en schakelverliezen te bieden. Deze nieuwe producten bieden ontwerpers meer flexibiliteit bij een breder scala van toepassingen dan andere apparaten op de markt. SiC MOSFET's zorgen voor een hoog rendement in krachtige toepassingen, zoals elektrische voertuigen, voedingen en datacenters, en zijn speciaal ontworpen en getest om betrouwbaar te werken in extreme omgevingen. Vergeleken met de oude silicium-IGBT's schakelen SemiQ's MOSFET's sneller met lagere verliezen, waardoor voordelen op systeemniveau ontstaan door minder omvang, gewicht en koeling.