Weebit Nano Limited heeft aangekondigd dat het samen met CEA-Leti zijn embedded Resistive Random-Access Memory (ReRAM) technologie aan het opschalen is naar 22nm - een van de meest gangbare procesnodes in de industrie. De twee bedrijven ontwerpen een volledige IP-geheugenmodule waarin een multi-megabit ReRAM-blok is geïntegreerd, gericht op een geavanceerd 22 nm Fully Depleted Silicon On Insulator (FDSOI)-proces. De eerste siliciumwafers van Weebit waarin de geïntegreerde ReRAM-module op 130 nm is ingebouwd, hebben positieve eerste testresultaten opgeleverd, en het bedrijf heeft met succes parameters op productieniveau op 28 nm gedemonstreerd. Nu Weebit over een sterke balans beschikt, versnelt het bedrijf zijn ontwikkelingsplannen om zijn technologie op te schalen naar procesnodes waar de bestaande embedded Flash-technologie niet langer levensvatbaar is.