IntelliEPI Inc. (Kaaiman) maakt winstcijfers bekend voor het tweede kwartaal dat eindigde op 30 juni 2021
25 augustus 2021
Delen
IntelliEPI Inc. (Kaaiman) heeft de winstresultaten bekendgemaakt voor het tweede kwartaal dat eindigde op 30 juni 2021. Voor het tweede kwartaal kondigde het bedrijf een omzet aan van 189,398 miljoen TWD, tegenover 161,082 miljoen TWD een jaar geleden. Het bedrijfsresultaat bedroeg TWD 23,307 miljoen, tegen een bedrijfsverlies van TWD 9,264 miljoen een jaar geleden. De nettowinst bedroeg 25,353 miljoen TWD, tegen een nettoverlies van 7,969 miljoen TWD een jaar geleden. De gewone winst per aandeel bedroeg 0,71 TWD, tegen een verlies per aandeel van 0,22 TWD een jaar geleden. De verwaterde winst per aandeel bedroeg TWD 0,71. Voor het halfjaar bedroeg de omzet TWD 341,380 miljoen, tegen TWD 311,570 miljoen een jaar geleden. Het bedrijfsresultaat bedroeg TWD 25,620 miljoen, tegen een bedrijfsverlies van TWD 8,131 miljoen een jaar geleden. De nettowinst bedroeg 27,265 miljoen TWD tegen een nettoverlies van 5,708 miljoen TWD een jaar geleden. De gewone winst per aandeel bedroeg 0,76 TWD tegen een gewoon verlies per aandeel van 0,16 TWD een jaar geleden. De verwaterde winst per aandeel bedroeg TWD 0,76.
Delen
Naar het originele artikel.
Wettelijke waarschuwing
IntelliEPI Inc. (Cayman) is een op de Caymaneilanden gevestigde houdstermaatschappij van Intelligent Epitaxy Technology, Inc. Het bedrijf levert op epitaxie gebaseerde samengestelde halfgeleider EPI-wafers aan de elektronica- en opto-elektronica-industrie. Het voorziet klanten van een verscheidenheid aan elektronica en opto-elektronica EPI-structuren gegroeid op Gallium Arsenide (GaAs) en Indium Phosphide (InP). De op GaAs gebaseerde producten omvatten PHEMT (AlAs, InGaP Etch Stop) en MHEMT. De op InP gebaseerde producten omvatten HBT (C-gedoteerd, Be-gedoteerd, GaAsSb), HEMT, RTT en RTD. De op Sb gebaseerde producten omvatten Type II SLS fotodetectoren, InP HBT op basis van GaAsSb en EPI-ready GaSb substraten. De opto-elektronicaproducten omvatten Avalanche Photo Diode (APD), Lasers (750 nm tot 1100 nm), VCSEL, PIN (GaAs, InP), QWIP, Modulatoren en Quantum Cascade Lasers. Het bedrijf gebruikt zijn technologie voor realtime in-situ groeimonitoring op systemen voor moleculaire bundelepitaxie (MBE) voor de productie van EPI-wafers op GaAs- en InP-substraten.