Intelliepi Inc. Kaaiman maakt winstcijfers bekend voor het tweede kwartaal dat eindigde op 30 juni 2020
13 augustus 2020 om 20:56 uur
Delen
IntelliEPI Inc. Kaaiman heeft de winstresultaten bekendgemaakt voor het tweede kwartaal dat eindigde op 30 juni 2020. Voor het tweede kwartaal kondigde het bedrijf een omzet aan van 161,082 miljoen TWD, tegenover 169,059 miljoen TWD een jaar geleden. Het bedrijfsverlies bedroeg 9,264 miljoen TWD, vergeleken met een bedrijfsinkomen van 20,105 miljoen TWD een jaar geleden. Het nettoverlies bedroeg TWD 7,969 miljoen, tegen een netto-inkomen van TWD 16,702 miljoen een jaar geleden. Het gewone verlies per aandeel bedroeg TWD 0,22, vergeleken met een gewone winst per aandeel van TWD 0,46 een jaar geleden. De verwaterde eps bedroeg TWD 0, vergeleken met TWD 0,46 een jaar geleden. Voor het halfjaar bedroeg de omzet TWD 311.570 miljoen, vergeleken met TWD 350.050 miljoen een jaar geleden. Het bedrijfsverlies bedroeg 8,131 miljoen TWD vergeleken met een bedrijfsinkomen van 41,832 miljoen TWD een jaar geleden. Het nettoverlies bedroeg 5,708 miljoen TWD, vergeleken met een netto-inkomen van 33,212 miljoen TWD een jaar geleden. Het gewone verlies per aandeel bedroeg TWD 0,16, vergeleken met een gewone winst per aandeel van TWD 0,92 een jaar geleden. De verwaterde eps bedroeg TWD 0 vergeleken met TWD 0,92 een jaar geleden.
Delen
Naar het originele artikel.
Wettelijke waarschuwing
IntelliEPI Inc. (Cayman) is een op de Caymaneilanden gevestigde houdstermaatschappij van Intelligent Epitaxy Technology, Inc. Het bedrijf levert op epitaxie gebaseerde samengestelde halfgeleider EPI-wafers aan de elektronica- en opto-elektronica-industrie. Het voorziet klanten van een verscheidenheid aan elektronica en opto-elektronica EPI-structuren gegroeid op Gallium Arsenide (GaAs) en Indium Phosphide (InP). De op GaAs gebaseerde producten omvatten PHEMT (AlAs, InGaP Etch Stop) en MHEMT. De op InP gebaseerde producten omvatten HBT (C-gedoteerd, Be-gedoteerd, GaAsSb), HEMT, RTT en RTD. De op Sb gebaseerde producten omvatten Type II SLS fotodetectoren, InP HBT op basis van GaAsSb en EPI-ready GaSb substraten. De opto-elektronicaproducten omvatten Avalanche Photo Diode (APD), Lasers (750 nm tot 1100 nm), VCSEL, PIN (GaAs, InP), QWIP, Modulatoren en Quantum Cascade Lasers. Het bedrijf gebruikt zijn technologie voor realtime in-situ groeimonitoring op systemen voor moleculaire bundelepitaxie (MBE) voor de productie van EPI-wafers op GaAs- en InP-substraten.