IntelliEPI Inc. (Kaaiman) meldt Winstresultaten voor het Derde Kwartaal en de Negen Maanden Geëindigd op 30 September, 2021
10 november 2021
Delen
IntelliEPI Inc. (Kaaiman) heeft winstcijfers bekend gemaakt voor het derde kwartaal en de negen maanden eindigend op 30 september 2021. Voor het derde kwartaal rapporteerde het bedrijf een omzet van TWD 186,19 miljoen, tegen TWD 174,39 miljoen een jaar geleden. De netto-inkomsten bedroegen TWD 34,01 miljoen, tegen TWD 21,87 miljoen een jaar geleden. De gewone winst per aandeel uit voortgezette bedrijfsactiviteiten bedroeg TWD 0,95 vergeleken met TWD 0,61 een jaar geleden. De verwaterde winst per aandeel uit voortgezette bedrijfsactiviteiten bedroeg TWD 0,95 tegen TWD 0,61 een jaar geleden. Voor de negen maanden bedroeg de omzet TWD 527,57 miljoen tegen TWD 485,96 miljoen een jaar geleden. De nettowinst bedroeg TWD 61,28 miljoen tegen TWD 16,16 miljoen een jaar geleden. De gewone winst per aandeel uit voortgezette bedrijfsactiviteiten bedroeg TWD 1,72 tegen TWD 0,45 een jaar geleden. De verwaterde winst per aandeel uit voortgezette bedrijfsactiviteiten bedroeg 1,71 TWD tegen 0,45 TWD een jaar geleden.
Delen
Naar het originele artikel.
Wettelijke waarschuwing
IntelliEPI Inc. (Cayman) is een op de Caymaneilanden gevestigde houdstermaatschappij van Intelligent Epitaxy Technology, Inc. Het bedrijf levert op epitaxie gebaseerde samengestelde halfgeleider EPI-wafers aan de elektronica- en opto-elektronica-industrie. Het voorziet klanten van een verscheidenheid aan elektronica en opto-elektronica EPI-structuren gegroeid op Gallium Arsenide (GaAs) en Indium Phosphide (InP). De op GaAs gebaseerde producten omvatten PHEMT (AlAs, InGaP Etch Stop) en MHEMT. De op InP gebaseerde producten omvatten HBT (C-gedoteerd, Be-gedoteerd, GaAsSb), HEMT, RTT en RTD. De op Sb gebaseerde producten omvatten Type II SLS fotodetectoren, InP HBT op basis van GaAsSb en EPI-ready GaSb substraten. De opto-elektronicaproducten omvatten Avalanche Photo Diode (APD), Lasers (750 nm tot 1100 nm), VCSEL, PIN (GaAs, InP), QWIP, Modulatoren en Quantum Cascade Lasers. Het bedrijf gebruikt zijn technologie voor realtime in-situ groeimonitoring op systemen voor moleculaire bundelepitaxie (MBE) voor de productie van EPI-wafers op GaAs- en InP-substraten.