IntelliEPI Inc. (Kaaiman) rapporteert resultaten voor het derde kwartaal en de negen maanden eindigend op 30 september 2022
09 november 2022 om 22:14 uur
Delen
IntelliEPI Inc. (Kaaiman) rapporteerde resultaten voor het derde kwartaal en de negen maanden eindigend op 30 september 2022. Voor het derde kwartaal meldde het bedrijf een omzet van TWD 211 miljoen, vergeleken met TWD 186,19 miljoen een jaar geleden. Het nettoresultaat bedroeg TWD 22,36 miljoen, vergeleken met TWD 34,01 miljoen een jaar geleden. De gewone winst per aandeel uit voortgezette activiteiten bedroeg TWD 0,62, vergeleken met TWD 0,95 een jaar geleden. De verwaterde winst per aandeel uit voortgezette activiteiten bedroeg TWD 0,61, vergeleken met TWD 0,95 een jaar geleden. Over de negen maanden bedroeg de omzet TWD 681,84 miljoen, tegen TWD 527,57 miljoen een jaar geleden. De nettowinst bedroeg TWD 124,48 miljoen, tegen TWD 61,28 miljoen een jaar geleden. De gewone winst per aandeel uit voortgezette bedrijfsactiviteiten bedroeg TWD 3,43, vergeleken met TWD 1,72 een jaar geleden. De verwaterde winst per aandeel uit voortgezette activiteiten bedroeg TWD 3,4, vergeleken met TWD 1,71 een jaar geleden.
Delen
Naar het originele artikel.
Wettelijke waarschuwing
IntelliEPI Inc. (Cayman) is een op de Caymaneilanden gevestigde houdstermaatschappij van Intelligent Epitaxy Technology, Inc. Het bedrijf levert op epitaxie gebaseerde samengestelde halfgeleider EPI-wafers aan de elektronica- en opto-elektronica-industrie. Het voorziet klanten van een verscheidenheid aan elektronica en opto-elektronica EPI-structuren gegroeid op Gallium Arsenide (GaAs) en Indium Phosphide (InP). De op GaAs gebaseerde producten omvatten PHEMT (AlAs, InGaP Etch Stop) en MHEMT. De op InP gebaseerde producten omvatten HBT (C-gedoteerd, Be-gedoteerd, GaAsSb), HEMT, RTT en RTD. De op Sb gebaseerde producten omvatten Type II SLS fotodetectoren, InP HBT op basis van GaAsSb en EPI-ready GaSb substraten. De opto-elektronicaproducten omvatten Avalanche Photo Diode (APD), Lasers (750 nm tot 1100 nm), VCSEL, PIN (GaAs, InP), QWIP, Modulatoren en Quantum Cascade Lasers. Het bedrijf gebruikt zijn technologie voor realtime in-situ groeimonitoring op systemen voor moleculaire bundelepitaxie (MBE) voor de productie van EPI-wafers op GaAs- en InP-substraten.