IntelliEPI Inc. (Kaaiman) maakt winstcijfers bekend voor het tweede kwartaal en de zes maanden eindigend op 30 juni 2022
25 augustus 2022 om 01:57 uur
Delen
IntelliEPI Inc. (Kaaiman) heeft winstcijfers bekend gemaakt voor het tweede kwartaal en de zes maanden eindigend op 30 juni 2022. Voor het tweede kwartaal rapporteerde het bedrijf een omzet van 250,89 miljoen TWD, tegen 189,4 miljoen TWD een jaar geleden. De nettowinst bedroeg TWD 60,03 miljoen, tegen TWD 25,35 miljoen een jaar geleden. De gewone winst per aandeel uit voortgezette bedrijfsactiviteiten bedroeg TWD 1,65 vergeleken met TWD 0,71 een jaar geleden. De verwaterde winst per aandeel uit voortgezette bedrijfsactiviteiten bedroeg TWD 1,65 tegen TWD 0,71 een jaar geleden. De gewone winst per aandeel bedroeg 1,65 TWD tegen 0,71 TWD een jaar geleden. De verwaterde winst per aandeel bedroeg TWD 1,65 tegen TWD 0,71 een jaar geleden. Voor de zes maanden bedroeg de omzet TWD 470,84 miljoen tegen TWD 341,38 miljoen een jaar geleden. De nettowinst bedroeg TWD 102,12 miljoen tegen TWD 27,27 miljoen een jaar geleden. De gewone winst per aandeel uit voortgezette bedrijfsactiviteiten bedroeg TWD 2,81 vergeleken met TWD 0,76 een jaar geleden. De verwaterde winst per aandeel uit voortgezette bedrijfsactiviteiten bedroeg TWD 2,8 tegen TWD 0,76 een jaar geleden. De gewone winst per aandeel bedroeg TWD 2,81 tegen TWD 0,76 een jaar geleden. De verwaterde winst per aandeel bedroeg TWD 2,8 tegen TWD 0,76 een jaar geleden.
Delen
Naar het originele artikel.
Wettelijke waarschuwing
IntelliEPI Inc. (Cayman) is een op de Caymaneilanden gevestigde houdstermaatschappij van Intelligent Epitaxy Technology, Inc. Het bedrijf levert op epitaxie gebaseerde samengestelde halfgeleider EPI-wafers aan de elektronica- en opto-elektronica-industrie. Het voorziet klanten van een verscheidenheid aan elektronica en opto-elektronica EPI-structuren gegroeid op Gallium Arsenide (GaAs) en Indium Phosphide (InP). De op GaAs gebaseerde producten omvatten PHEMT (AlAs, InGaP Etch Stop) en MHEMT. De op InP gebaseerde producten omvatten HBT (C-gedoteerd, Be-gedoteerd, GaAsSb), HEMT, RTT en RTD. De op Sb gebaseerde producten omvatten Type II SLS fotodetectoren, InP HBT op basis van GaAsSb en EPI-ready GaSb substraten. De opto-elektronicaproducten omvatten Avalanche Photo Diode (APD), Lasers (750 nm tot 1100 nm), VCSEL, PIN (GaAs, InP), QWIP, Modulatoren en Quantum Cascade Lasers. Het bedrijf gebruikt zijn technologie voor realtime in-situ groeimonitoring op systemen voor moleculaire bundelepitaxie (MBE) voor de productie van EPI-wafers op GaAs- en InP-substraten.